| 首頁 |
|
兵器工業(yè)集團(tuán)兩項(xiàng)技術(shù)入選2022年“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜 |
||
|
||
近日，中國(guó)科協(xié)發(fā)布2022年“科創(chuàng)中國(guó)”系列榜單遴選結(jié)果，中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)微電子院“高性能MOEMS晶圓制造技術(shù)”、西安近代化學(xué)研究所“原子層沉積（ALD）納米制造技術(shù)”入選“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜（產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域）。 高性能MOEMS晶圓制造技術(shù) 微電子院突破高性能MOEMS晶圓制造系列關(guān)鍵技術(shù)，多項(xiàng)技術(shù)和產(chǎn)品填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，建立了國(guó)際先進(jìn)、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)體系，實(shí)現(xiàn)了光衰減器、光開關(guān)陣列、可調(diào)光濾波器、MOEMS掃描鏡等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)，這些產(chǎn)品是光交叉、智能光束控制和掃描成像的核心芯片，在5G通信、無人駕駛、智慧工業(yè)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，為國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供重要支撐。 原子層沉積（ALD）納米制造技術(shù) 原子層沉積（ALD）是一種先進(jìn)的薄膜沉積與納米結(jié)構(gòu)制造技術(shù)，借助該技術(shù)可對(duì)物質(zhì)表面組成及結(jié)構(gòu)進(jìn)行原子層面的精確操縱，在材料表面引入特定的物理或化學(xué)性質(zhì)，實(shí)現(xiàn)多種納米材料的高精度可控合成。西安近代化學(xué)研究所原子層沉積表面工程與納米制造技術(shù)團(tuán)隊(duì)具備開展ALD先進(jìn)設(shè)備及工藝研發(fā)、高水平基礎(chǔ)研究以及工程化應(yīng)用能力，通過自主創(chuàng)新，初步實(shí)現(xiàn)了ALD先進(jìn)設(shè)備及相關(guān)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，并且開創(chuàng)性地將ALD技術(shù)成功應(yīng)用于多個(gè)研究方向，成為推動(dòng)我國(guó)ALD技術(shù)發(fā)展的中堅(jiān)力量。 據(jù)了解，“科創(chuàng)中國(guó)”榜單由中國(guó)科協(xié)設(shè)立，旨在通過優(yōu)選引領(lǐng)人物、新銳企業(yè)及先導(dǎo)技術(shù)，引導(dǎo)探索技術(shù)服務(wù)與交易新業(yè)態(tài)、新組織、新模式，激活創(chuàng)新引領(lǐng)的合作動(dòng)能，為實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)提供支撐。 來源/微電子院、西安近代化學(xué)研究所 |
||
| 關(guān)閉窗口 | ||